富士電機開發(fā)了IGBT模塊作為電動機的可變速驅動裝置或不間斷電源裝置等的電力轉換器的開關元件。IGBT是同時具有功率MOSFET的高速開關性能和雙極型晶體管的高電壓和大電流處理能力的半導體元件。
特長
實現了封裝小型化和輸出功率的提高！
- 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
- Tj max175°C、150°C時可保證連續(xù)運行
環(huán)境友好型模塊
- 高裝配性，支持無焊裝配
- 支持RoHS（部分除外）
開關特性
- 改善噪音-損耗平衡
- 通過降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振動
富士IGBT模塊 P系列IGBT采用GPT工藝制造，比PT （Punch-Through）IGBT有更多的優(yōu)越性，特別適用于變頻器、交流伺服電機系統(tǒng)、UPS、電焊機電源等領域。
特性：
1.額定電流是 TC=80℃時的數值。
2.VCE（SAT）與溫度成正比，易于并聯(lián)。
3.開關損耗的溫度系數比PT-IGBT小，當溫度升高時，其開關損耗比PT-IGBT小。因此，P系列更適合高頻應用。
4.1400V系列模塊適合用于AC380~575V的功率變換設備。
5.P系列，尤其1400V系列比PT-IGBT有更大的**工作區(qū)，RBSOA（反偏**工作區(qū)）和SCSOA（短路**工作區(qū)）都為矩形。其RBSOA可達額定電流的兩倍，SCSOA可達額定電流的十倍。因此，吸收電路可大大簡化，同時，短路承受能力大大提高。
6.低損耗、軟開關、dv/dt只有普通模塊的1/2，大大降低了EMI噪聲。
富士IGBT模塊 P系列
|
|
型號 |
VCES |
IC |
PC |
VCEsat |
封裝 |
|
2MBI50P-140 |
1,400 |
75/50 |
400 |
2.7 |
M232 |
|
2MBI75P-140 |
1,400 |
100/75 |
600 |
2.7 |
M232 |
|
2MBI100PC-140 |
1,400 |
150/100 |
780 |
2.7 |
M233 |
|
2MBI150PC-140 |
1,400 |
200/150 |
1,100 |
2.7 |
M233 |
|
2MBI200PB-140 |
1,400 |
300/200 |
1,500 |
2.7 |
M235 |
|
2MBI300P-140 |
1,400 |
500/300 |
2,500 |
2.7 |
M238 |
|
1MBI600PX-140 |
1,400 |
800/600 |
4,100 |
2.85 |
M138 |
|
1MBI600PX-120 |
1,200 |
800/600 |
4,100 |
2.85 |
M138 |
