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英飛凌推出CoolSiC產品組合，實現高效率和功率密度
日期：2025-10-28 22:00
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摘要：英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統IGBT硅技術在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。相比傳統的62mm IGBT 模塊，其應用范圍現已擴展至 太陽能、 服務器、 儲能、 電動汽車充電樁、 牽引、商用感應電磁爐和功率轉換系統等。
增強型M1H技術能夠顯著拓寬柵極電壓窗口，即使...
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統IGBT硅技術在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。相比傳統的62mm IGBT 模塊，其應用范圍現已擴展至 太陽能、 服務器、 儲能、 電動汽車充電樁、 牽引、商用感應電磁爐和功率轉換系統等。
增強型M1H技術能夠顯著拓寬柵極電壓窗口，即使在高開關頻率下，不需任何限制，也能確保柵極應對驅動器和布局引起的感應電壓尖峰的高可靠性。此外，極低的開關損耗和傳輸損耗可以*大限度地降低冷卻需求。結合高反向電壓，這些半導體器件還可滿足現代系統設計的另一項要求。借助英飛凌CoolSiC TM芯片技術，轉換器的設計可以變得更有效率，單個逆變器的額定功率得以進一步提高，從而降低整體系統成本。
配備銅基板和螺紋接口，該封裝具有高魯棒性的機械設計，可提高系統可用性、降低服務成本和減少停機損失。通過強大的熱循環能力和150°C的連續運行結溫（T vjop）實現出色的可靠性。其對稱的內部封裝設計使得上下開關具有相同的開關條件?？梢赃x裝預涂熱界面材料（TIM），進一步提高模塊的熱性能。
供貨情況
采用62mm封裝的1200 V CoolSiC MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A三種型號可供選擇。2000 V產品組合將包含4 mΩ/300 A和3 mΩ/400 A兩種型號。1200 V/3 mΩ和2000 V/5 mΩ型號將于2024 年一季度推出。它還有專為快速特性評估（雙脈沖/連續工作）設計的評估板可供選擇。為了便于使用，該評估板還提供可靈活調整的柵極電壓和柵極電阻，同時還可作為批量生產驅動板的參考設計使用。
增強型M1H技術能夠顯著拓寬柵極電壓窗口，即使在高開關頻率下，不需任何限制，也能確保柵極應對驅動器和布局引起的感應電壓尖峰的高可靠性。此外，極低的開關損耗和傳輸損耗可以*大限度地降低冷卻需求。結合高反向電壓，這些半導體器件還可滿足現代系統設計的另一項要求。借助英飛凌CoolSiC TM芯片技術，轉換器的設計可以變得更有效率，單個逆變器的額定功率得以進一步提高，從而降低整體系統成本。
配備銅基板和螺紋接口，該封裝具有高魯棒性的機械設計，可提高系統可用性、降低服務成本和減少停機損失。通過強大的熱循環能力和150°C的連續運行結溫（T vjop）實現出色的可靠性。其對稱的內部封裝設計使得上下開關具有相同的開關條件?？梢赃x裝預涂熱界面材料（TIM），進一步提高模塊的熱性能。
供貨情況
采用62mm封裝的1200 V CoolSiC MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A三種型號可供選擇。2000 V產品組合將包含4 mΩ/300 A和3 mΩ/400 A兩種型號。1200 V/3 mΩ和2000 V/5 mΩ型號將于2024 年一季度推出。它還有專為快速特性評估（雙脈沖/連續工作）設計的評估板可供選擇。為了便于使用，該評估板還提供可靈活調整的柵極電壓和柵極電阻，同時還可作為批量生產驅動板的參考設計使用。
