文章詳情
SEMIKRON IGBT模塊SEMITRANS命名方法
日期：2025-09-03 04:38
瀏覽次數：1467
摘要：
SEMIKRON IGBT模塊SEMITRANS命名方法:
SK M 200 G B 12 3 D L
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑧
① SEMIKRON元件
② M:MOS技術
D:七單元模塊(三相整流橋加IGBT斬波器)
③ 集電極電流等級(Tcase＝25℃時的Ic/A)
④ IGBT開關
⑤ 線路
A: 單只開關
AL: 斬波器模塊(IGBT加集電極端續流二極管)
AR: 斬波器模塊(IGBT加發射極端續流二極管)
AH: 非對稱H橋
AX: 單只IGBT加集電極端串聯二極管...
SEMIKRON IGBT模塊SEMITRANS命名方法:
SK M 200 G B 12 3 D L
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑧
① SEMIKRON元件
② M:MOS技術
D:七單元模塊(三相整流橋加IGBT斬波器)
③ 集電極電流等級(Tcase＝25℃時的Ic/A)
④ IGBT開關
⑤ 線路
A: 單只開關
AL: 斬波器模塊(IGBT加集電極端續流二極管)
AR: 斬波器模塊(IGBT加發射極端續流二極管)
AH: 非對稱H橋
AX: 單只IGBT加集電極端串聯二極管(反向阻斷)
AY: 單只IGBT加發射極端串聯二極管(反向阻斷)
B: 兩單元模塊(半橋)
BD: 兩單元模塊(半橋)加串聯二極管(反向阻斷)
D: 六單元(三相橋)
DL: 七單元(三相橋加AL斬波器)
H: 單相全橋
M: 兩只IGBT在集電極端相連
⑥ 集電極發射極電壓等級(Vce/V/100)
⑦ IGBT系列號
0: **代產品(1988-1991,集電極額定電流為Tcase=80℃時值)
1、2:**代產品(1992-1996,集電極額定電流為Tcase=25℃時值);
600V產品:集電極額定電流為Tcase=80℃時值
3: **代產品(600V和1200V:高密度NPT型IGBT);
1700V為**代NPT型IGBT.CAL二極管.
600V產品:集電極額定電流為Tcase=80℃時值.
1200V與1700V產品:集電極額定電流為Tcase=25℃時值
4: 高密度、低飽和壓降NPT型IGBT(1200V、1700V)
5: 高密度、高速NPT型IGBT(600V、1200V)
6: 溝道式NPT型IGBT
⑧ 特點
D: 快回復二極管
K: SEMIKRON五號外殼帶螺栓端子
L: 六單元外殼帶焊接端子
S: 集電極檢測端子
I: 加強的反向二極管(高功率輸出)
