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SEMIKRON賽米控IGBT模塊的命名規(guī)則
日期：2025-09-01 22:27
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摘要：
舉例： SKM100GB123D
SK
SK表示SEMIKRON的IGBT
M
表示應(yīng)用技術(shù)或者模塊結(jié)構(gòu)：
M——表示采用MOS技術(shù)
D——表示七單元模塊（即互相整流橋+1CBT斬波器）
100
表示集電極電流等級，條件Tcase =25℃時的Ic，單位為A
G
表示IGBT開關(guān)
B
表示線路的類型或者特點(diǎn)：
A——表示線路為單只開...
| 舉例： SKM100GB123D | |
| SK | SK表示SEMIKRON的IGBT |
| M |
表示應(yīng)用技術(shù)或者模塊結(jié)構(gòu)： M——表示采用MOS技術(shù) D——表示七單元模塊（即互相整流橋+1CBT斬波器） |
| 100 | 表示集電極電流等級，條件Tcase =25℃時的Ic，單位為A |
| G | 表示IGBT開關(guān) |
| B |
表示線路的類型或者特點(diǎn)： A——表示線路為單只開關(guān) AL——表示線路為斬披器模塊（即IGBT+集電極端續(xù)流二極管） AR——表示線路為斬波器模塊（即 1GBT+發(fā)射極端續(xù)流二極管） AH——表示線路為非對稱H 橋 AX——表示線路為單只IGBT+集電極端串聯(lián)二極管（反向阻斷） AY——表示線路為單只IGBT+發(fā)射極端串聯(lián)二極管（反向阻斷） B——表示線路為兩單元模塊（半橋） BD——表示線路為兩單元模塊（半橋）+串聯(lián)二極管（反向阻斷） D——表示線路為六單元（三相橋） DL——表示線路為七單元（三相橋+AL斬波器） H——表示線路為單相全橋 M——表示線路為兩只lGBT在集電極端相連 |
| 12 | 表示集電極與發(fā)射極間電壓等級( VCE為型號中的數(shù)字×100，例如12× 100V= 1200V= VCE) |
| 3 |
表示IGBT的系列號： 0——表示第1代產(chǎn)品（1988 ~ 1991 年，集電極額定電流為Tcase =80℃時的值） 1、2——表示笫l代產(chǎn)品（1992~1996 年，集電極額定電流為Tcase =25℃時的值。600V產(chǎn)品為集電極I額定電流Tcase =80℃時的值 3——表示第2代產(chǎn)品（600V與1200v為高密度NPT型IGBT。1700V為第1代NPT型IGBT+ CAL二極管。600V產(chǎn)品為集電極額定電流為Tase=80℃時的值。1200V與1700V產(chǎn)品為集電極額定電流為Tcase=25℃時的值 4——表示高密度、低飽和壓降NPT型IGBT( 1200V、I700V) 5——表示高密度、高速NPT型lGBT(600V、1200V) 6——表示溝道式NPT型IGBT |
| D |
表示為特點(diǎn)： D-表示快速恢復(fù)二極管 K——表示SEMIKRON五號外殼帶螺栓端予 L——表示六單元外殼帶焊接端子 S——表示集電極檢測端子 I——表示加強(qiáng)的反向二極管（高功率輸出） |
賽米控的IGBT的命名方法與規(guī)律2見表2。
| 舉例： SK 100 G B 12 3× | |
| SK | SK 表示SEMIKRON的IGBT |
| 100 | 表示集電極電流等級，條件Tcase= 25℃時的Ic，單位為A。 |
| G |
表示應(yīng)用技術(shù)或者模塊結(jié)構(gòu)： G——表示IGBT開關(guān) M——表示MOSFET開關(guān) |
| B |
表示線路的類型或者特點(diǎn)： A——表示線路為單只開莢 AL——表示線路為斬波器模塊（即 IGBT+集電極端續(xù)流二極管） AR——表示線路為斬波器模塊（即 IGBT+發(fā)射極端續(xù)流二極管） AH——表示線路為非對稱H 橋 B——表示線路為兩單元模塊（半橋） BD——表示線路為兩單元模塊（半橋）+串聯(lián)二極管（反向阻斷） D——表示線路為六單元（三相橋） H——表示線路為單相全橋 |
| 12 | 表示集電極與發(fā)射極闖電壓等級（VCE為絕號中的數(shù)字×100，例如1×100V =1200V= VCE.） |
| 3 |
表示IGBT的系列號： 2——表示PT型（僅600V產(chǎn)品） 3——表示高密度NPT型產(chǎn)品 4——表示高密度、低飽和壓降 NPT型ICBT 5——表示高密度、高速NPT型IGBT |
| × | 特點(diǎn)（沒有定義） |
