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三菱電機半導(dǎo)體爭做行業(yè)優(yōu)等生！
日期：2025-08-31 01:08
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摘要：
4月26日，勞動節(jié)前夕，大中國區(qū)三菱電機半導(dǎo)體來到深圳君悅酒店，向電力電子行業(yè)內(nèi)的各位專家及精英朋友們提交了一份技術(shù)成果匯報單——“2018三菱電機功率模塊技術(shù)研討會”。技術(shù)控的你，對這份成績單是否滿意呢？
志存高遠(yuǎn) 緊跟電力電子“學(xué)術(shù)之源”
作為三菱電機校企合作的老朋友，剛剛從46屆日內(nèi)瓦國際發(fā)明展覽大會獲獎歸來的清華大學(xué)趙爭鳴教授率先登場，向來賓發(fā)表了“功率半導(dǎo)體器件多時間尺度瞬態(tài)建模及仿真”的專題報告。趙教授以此次日內(nèi)瓦獲獎之行的所見趣聞作為切...
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4月26日，勞動節(jié)前夕，大中國區(qū)三菱電機半導(dǎo)體來到深圳君悅酒店，向電力電子行業(yè)內(nèi)的各位專家及精英朋友們提交了一份技術(shù)成果匯報單——“2018三菱電機功率模塊技術(shù)研討會”。技術(shù)控的你，對這份成績單是否滿意呢？
志存高遠(yuǎn) 緊跟電力電子“學(xué)術(shù)之源”
作為三菱電機校企合作的老朋友，剛剛從46屆日內(nèi)瓦國際發(fā)明展覽大會獲獎歸來的清華大學(xué)趙爭鳴教授率先登場，向來賓發(fā)表了“功率半導(dǎo)體器件多時間尺度瞬態(tài)建模及仿真”的專題報告。趙教授以此次日內(nèi)瓦獲獎之行的所見趣聞作為切入，在分享完國際前瞻技術(shù)后，更號召大家用系統(tǒng)、發(fā)展的眼光看問題。他提到，電力電子科學(xué)領(lǐng)域，做應(yīng)用及裝置所面臨三大技術(shù)難題的共性便是瞬態(tài)問題。而半導(dǎo)體又是電力電子的主力軍，唯有關(guān)注功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性這一核心問題，同時建立瞬態(tài)模型，才能更好地反映關(guān)鍵參數(shù)。
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去粗取精 追求功率器件“至善之美”
近年來，為順應(yīng)“中國制造2025”的大政方針，三菱電機致力于降低產(chǎn)品損耗、提升產(chǎn)品性能與可靠性的產(chǎn)品目標(biāo)，至今已成功將第七代IGBT模塊推向市場。
研討會上，三菱電機半導(dǎo)體大中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)宋高升先生向現(xiàn)場與會者介紹道，在過去一年，三菱電機功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線在家用、工業(yè)、汽車、牽引四大領(lǐng)域都有核心技術(shù)突破。在變頻家電領(lǐng)域，三菱電機成功發(fā)布面向變頻冰箱和風(fēng)機驅(qū)動的SLIMDIP-S以及面向變頻空調(diào)和洗衣機的SLIMDIP-L智能功率模塊，*近又成功發(fā)布表面貼裝型IPM，這些產(chǎn)品將有助于推動變頻家電實現(xiàn)小型化；在工業(yè)應(yīng)用方面，成功發(fā)布第七代IGBT和第七代IPM模塊，**采用SLC封裝技術(shù)，使得模塊壽命大幅延長；成功發(fā)布面向汽車應(yīng)用的J1系列Pin-fin模塊，其中i-DBS結(jié)構(gòu)采用了疊層母排的布局實現(xiàn)了封裝小、內(nèi)部雜散電感低的特性；面向牽引應(yīng)用的X系列HVIGBT，**工作區(qū)裕度大、電流密度增加、抗?jié)穸若敯粜栽鰪姡兄谶M(jìn)一步提高牽引變流器現(xiàn)場運行的可靠性。
未來，三菱電機仍將在以上四大領(lǐng)域不斷推出新產(chǎn)品、新技術(shù)，努力在電動汽車和鐵道牽引兩大交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)新突破。
厚積薄發(fā) 點燃**科技“燎原之勢”
SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料憑借其優(yōu)異性能，突破電能轉(zhuǎn)換消耗瓶頸并迅速崛起。三菱電機的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起步較早，早在2013年日本政府將第三代半導(dǎo)體納入“首相戰(zhàn)略”，以日本杰出學(xué)府大阪大學(xué)牽頭，協(xié)同三菱電機、羅姆等知名企業(yè)，形成產(chǎn)學(xué)研中心，共同開發(fā)適應(yīng)SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體的先進(jìn)封裝技術(shù)。
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本次研討會上，三菱電機半導(dǎo)體大中國區(qū)上等應(yīng)用工程師胡博先生詳細(xì)講述其SiC功率模塊以及混合SiC功率模塊的性能與應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅IGBT模塊相比，全SiC功率模塊大幅提高功率變換組件效率，減小組件體積及減輕組件重量。SiC產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽逆變器、醫(yī)療設(shè)備電源、電梯、馬達(dá)驅(qū)動等。
**是突破瓶頸、實現(xiàn)蛻變健康成長的不二法門。為了滿足功率器件市場對噪聲低、效率高、尺寸小和重量輕的要求，三菱電機正在加緊研發(fā)新一代溝槽柵SiC MOSFET芯片技術(shù)，該技術(shù)將進(jìn)一步改善短路耐量和導(dǎo)通電阻的關(guān)系，并計劃在2020年實現(xiàn)新型SiC MOSFET模塊的商業(yè)化。
在功率芯片和功率模塊研發(fā)與制造方面，三菱電機憑借60多年的技術(shù)沉淀與經(jīng)驗積累，持續(xù)性和創(chuàng)造性地研究與開發(fā)深耕的行業(yè)，成就了三菱電機在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的“優(yōu)等生”地位。在未來的日子里，三菱電機還將繼續(xù)以“優(yōu)等生”姿態(tài)，力爭為業(yè)界帶來一定的模范作用，以期為社會貢獻(xiàn)更多更好的產(chǎn)品和服務(wù)，助力中國制造向更深層次邁進(jìn)。
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